研究人员显示，大脑刺激会恢复失误期间的记忆力

宾夕法尼亚大学的一组神经科学家团队首次表明，预测记忆力失败时提供了电刺激可以改善人脑中的记忆功能。当电脉冲在有效的记忆功能期间到达时，相同的刺激通常会破坏。

研究小组包括心理学教授迈克尔·卡哈纳（Michael Kahana），国防高级研究计划局恢复活跃记忆计划的首席研究员；Youssef Ezzyat，Kahana实验室的高级数据科学家；以及宾夕法尼亚州认知神经调节主管Daniel Rizzuto。他们在期刊上发表了他们的发现当前的生物学。

这项工作是朝着恢复积极记忆的长期目标迈出的重要一步，这是一个为期四年的国防部项目，旨在开发下一代技术以改善内存功能在遭受苦难的人中记忆损失。它说明了适当定时的深度 -脑刺激及其潜在的治疗益处。

为了达到这一点，宾夕法尼亚团队首先必须理解并解码与记忆高和低点相对应的信号传导模式功能。

“通过将机器学习方法应用于在整个整个位置的广泛位置测量的电信号人脑，“首席论文作者Ezzyat说：“我们能够识别出指示给定患者何时有记忆编码的神经活动。”

使用此模型，卡哈纳（Kahana）的团队研究了在差与有效记忆功能相比，刺激的效果如何不同。该研究涉及在宾夕法尼亚大学医院接受癫痫治疗的神经外科患者国立卫生研究院临床中心和华盛顿大学。要求参与者在接受安全水平的同时学习和召回常用单词的清单大脑刺激。

在此过程中，宾夕法尼亚团队记录了从患者大脑中植入的电极作为常规临床护理的一部分。这些记录确定了成功记忆功能的生物标志物，当大脑有效创造新记忆时发生的活动模式。

“我们发现，当电刺激卡哈纳说：“在有效记忆的时期到达，记忆力恶化。但是，当电刺激到达功能较差时，记忆会显着改善。”

Kahana将其比作大脑中的交通模式：备份期间刺激大脑会恢复正常的交通流量。

了解这一过程可以改善许多类型的患者的生活，尤其是患有创伤性脑损伤或神经系统疾病的患者，例如阿尔茨海默氏症。Rizzuto说：“基于这种刺激的技术可能会在记忆表现方面产生有意义的收益，但需要更多的工作才能从概念证明转变为实际的治疗平台。”

去年11月，RAM团队公开发布了广泛的颅内脑记录和刺激数据集，其中包括来自150名患者执行记忆任务的1000多个小时的数据。

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